不銹鋼晶間腐蝕報告怎麼寫

Ⅰ 18—8不銹鋼產生晶間腐蝕的原因和阻止方法

18-8不銹鋼產生晶間腐蝕的原因和阻止方法：
晶間腐蝕出現於某些特殊的合金中，通常當它們在焊接或熱處理期間加熱到其敏感溫度區時即可能會發生晶間腐蝕。
晶粒間界是結晶學取向不同的晶粒間紊亂錯合的界城，因而，它們是鋼中各種溶質元素偏析或金屬化合物（如碳化物和δ相）沉澱析出的有利區城。當諸如某些不銹鋼合金加熱到425-870℃，鉻的碳化物即會在晶粒邊界析出。導致碳化物附近出現貧鉻區同時影響晶界區的鈍化性。
在特殊介質中，如硝酸或高溫水中，可能出現低鉻區的溶蝕現象。晶粒是以一種砂糖似的表面出現的。當用一取樣器擦過時，它們很容易被擦掉。不銹鋼和鎳合金的晶間腐蝕可以通過採用低碳合金、加入碳化物形成元素如鈦或鈮，或利用穩定化退火來使之避免。晶間腐蝕是一種有選擇性的腐蝕破壞，它與一般選擇性腐蝕不同之處在於，腐蝕的局部性是顯微尺度的，而宏觀上不一定是局部的。晶界上優先腐蝕，雖然外觀上保持著金屬光澤，但晶粒間漸漸失去聯系以致晶粒脫落。
晶間腐蝕的影響因素：金屬的化學成分和金相組織。含碳量愈高，愈易產生晶間腐蝕。鐵素體的存在可以防止晶間腐蝕，但晶粒度過大則會加速晶間腐蝕。焊前鋼材的受熱情況，若鋼材受過550～850℃的預熱，則易發生晶間腐蝕。焊接、使用過程中存在應力。在中等氧化性環境中易產生晶間腐蝕。

為此，應選用穩定性好的低碳不銹鋼，極低含碳量和較高鈦、鈮、鉭、鋯含量的焊接材料，但該種焊縫強度低且易產生熱裂。

Ⅱ 不銹鋼材料的點腐蝕

是一種導致腐蝕的局部腐蝕形式。
晶間腐蝕：晶粒間界是內結晶學取向不同的晶粒間紊亂容錯合的界城，因而，它們是鋼中各種溶質元素偏析或金屬化合物（如碳化物和δ相）沉澱析出的有利區城。因此，在某些腐蝕介質中，晶粒間界可能先行被腐蝕乃是不足為奇的。這種類型的腐蝕被稱為晶間腐蝕，大多數的金屬和合金在特定的腐蝕介質中都可能呈現晶間腐蝕。
縫隙腐蝕：是局部腐蝕的一種形式，它可能發全於溶液停滯的縫隙之中或屏蔽的表面內。這樣的縫隙可以在金屬與金屬或金屬與非金屬的接合處形成，例如，在與鉚釘、螺栓、墊片、閥座、松動的表面沉積物以及海生物相接燭之處形成。

Ⅲ 奧氏體不銹鋼晶間腐蝕

產生晶間腐蝕的不銹鋼，當受到應力作用時，即會沿晶界斷裂、強度幾乎完回全消失，這答是不銹鋼的一種最危險的破壞形式。晶間腐蝕可以分別產生在焊接接頭的熱影響區(HAZ)、焊縫或熔合線上，在熔合線上產生的晶間腐蝕又稱刀線腐蝕(KLA)。不銹鋼具有耐腐蝕能力的必要條件是鉻的質量分數必須大於10~12%。當溫度升高時，碳在不銹鋼晶粒內部的擴散速度大於鉻的擴散速度。因為室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小，約為0.02%～0.03%，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值，故多餘的碳就不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，並和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如（CrFe）23C6等。
數據表明，鉻沿晶界擴散的活化能力162～252KJ/mol，而鉻由晶粒內擴散活化能約540KJ/mol，即:鉻由晶粒內擴散速度比鉻沿晶界擴散速度小，內部的鉻來不及向晶界擴散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要不是來自奧氏體晶粒內部，而是來自晶界附近，結果就使晶界附近的含鉻量大為減少，當晶界的鉻的質量分數低到小於12%時，就形成所謂的「貧鉻區」，在腐蝕介質作用下，貧鉻區就會失去耐腐蝕能力，而產生晶間腐蝕。