DDR如何焊接

Ⅰ 內存的封裝方式主要有

DIMM（雙列直插存儲模塊）和SIMM相似，只是體積稍大。不同處在於SIMM的部分引腳前後連接在一起，而DIMM的每個引腳都是分開的，所以在電氣性能上有較大改觀，而且這樣可以不用把模塊做得很大就可以容納更多的針腳，從而容易得到更大容量的RAM。

RIMM（Rambus直插式存儲模塊）其外形有點像DIMM，只是體積要大一點，性能更好，但價格昂貴，發熱量較大。為了解決發熱問題，模塊上都有一個很長的散熱片。

現在我們再回過頭來看看內存顆粒的封裝。
DIP
早期的內存顆粒也採用DIP（Dual In-line Package雙列直插式封裝），這種封裝的外形呈長方形，針腳從長邊引出，由於針腳數量少（一般為8～64針），且抗干擾能力極弱，加上體積比較「龐大」，所以DIP封裝如曇花一現。

SIP
SIP（Single In-line Package單列直插封裝）只從單邊引出針腳，直接插入PCB板中，其封裝和DIP大同小異。其吸引人之處在於只佔據很少的電路板面積，然而在某些體系中，封閉式的電路板限制了SIP封裝的高度和應用。加上沒有足夠的引腳，性能不能令人滿意，很快退出了市場。

SOJ
從SOJ（Small Out－Line J－Lead小尺寸J形引腳封裝）中伸出的引腳有點像DIP的引腳，但不同的是其引腳呈「J」形彎曲地排列在晶元底部四周，必須配合專門為SOJ設計的插座使用。

TSOP
在1980年代出現的TSOP封裝（Thin Small Outline Package薄型小尺寸封裝），由於更適合高頻使用，以較強的可操作性和較高的可靠性徵服了業界。TSOP的封裝厚度只有SOJ的三分之一。TSOP內存封裝的外形呈長方形，且封裝晶元的周圍都有I/O引腳。例如SDRAM內存顆粒的兩側都有引腳，而SGRAM內存顆粒的四邊都有引腳，所以體積相對較大。在TSOP封裝方式中，內存顆粒是通過晶元引腳焊在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得晶元向PCB板傳熱相對困難。

Tiny-BGA

Tiny-BGA（Tiny Ball Grid Array小型球柵陣列封裝）是由 Kingmax推出的封裝方式。由於Tiny-BGA封裝減少了晶元的面積，可以看成是超小型的BGA封裝。Tiny-BGA封裝比起傳統的封裝技術有三大進步：更大的容量（在電路板上可以安放更多的內存顆粒）；更好的電氣性能（因為晶元與底板連接的路徑更短，減小了電磁干擾的噪音，能適合更高的工作頻率）；更好的散熱性能（內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存顆粒在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去）。
mBGA

mBGA（Micro Ball Grid Array微型球柵陣列封裝）可以說是BGA的改進版，封裝呈正方形，內存顆粒的實際佔用面積比較小。由於採用這種封裝方式內存顆粒的針腳都在晶元下部，連接短、電氣性能好、也不易受干擾。這種封裝技術會帶來更好的散熱及超頻性能，尤其適合工作於高頻狀態下的Direct RDRAM，但製造成本極高，目前主要用於Direct RDRAM。
CSP

CSP（Chip Scale Package晶元級封裝）是一種新的封裝方式。在BGA、TSOP的基礎上，CSP封裝的性能又有了革命性的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1∶1.14，接近1∶1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，相當於TSOP內存顆粒面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的內存顆粒，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高3倍。而且，CSP封裝的內存顆粒不僅可以通過PCB板散熱還可以從背面散熱，且散熱效率良好。同時由於JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council，電子設備工程聯合委員會）制定的DDRⅡ技術規范，加上TSOP-Ⅱ封裝會在DDRⅡ成為市場主流時徹底退出市場，所以CSP的改良型WLCSP將會擔當起新的封裝大任。同時WLCSP有著比CSP更為貼近晶元尺寸的封裝方法，在晶圓上就做好了封裝布線，因此在可靠性方面達到了更高的水平。

Ⅱ 楂樻墜璇瘋繘錛屽叧浜庡唴瀛樼剨姝葷殑闂棰

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