cob正負極如何焊接

1. 如何把導線焊接在COB光源的兩個觸點上，我用了焊膏也不上錫

這種設計應該是推薦用壓緊的方式連接的。如果要焊線的話，你可以嘗試把電極表面的塗層用刀，刮掉一點後，再用焊膏焊。
刮觸點的時候建議可以在邊上少刮一下，測試一下，能用的話再操作。

2. LED琛屼笟涓 COB鏄浠涔堟剰鎬濓紝涓昏佸簲鐢ㄦ湁鍝浜涳紵

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3. 請教怎樣焊接led燈片(5730.2835)

隨著科技的發展，晶元集成度越來越高，封裝也變得越來越小，這也造成了許多初學者「望貼片 IC」興嘆了。拿著烙鐵對著引腳間距不超過 0.5mm 的 IC，你是否覺得無從下手？本文將詳解密引腳貼片 IC、普通間距貼片 IC、小封裝（0805、0603 甚至更小）的分立元件的焊接方法。 網路經驗:jingyan..com
工具/原料
工具：鑷子、松香、烙鐵、焊錫
原料：PCB電路板
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一、密引腳IC（D12）焊接
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首先，用鑷子夾著晶元，對准焊盤：

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然後用拇指按住晶元：

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在進行下一步之前，一定要確認晶元已經對准焊盤了，不然下一步做了以後再發現晶元沒有對准就比較麻煩了。
接著，用鑷子夾取一小塊松香放在 D12 晶元引腳的旁邊，注意這里用的是松香，而不是那種稠的助焊劑（這種助焊劑沒法固定住晶元） ：

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下一步就是用烙鐵將松香化開了。松香在這里有兩個作用：一是用來將晶元固定在 PCB板上，另一個作用就是助焊了，呵呵。熔化松香的時候，要盡可能的將松香化開，均勻地分布在一排焊盤上。

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然後同樣用松香固定住 D12 另外一側的引腳，做完這步 D12就牢固的固定在了 PCB上，所以之前要檢查晶元是不是准確的對准了焊盤，不然等兩邊的松香都上好後就不是很好取了。
接下來剪一小截焊錫放在左邊的焊盤上（如果你用左手使烙鐵，就放右邊了。本例均以右撇子為例，呵呵） ，圖中的焊錫直徑為 0.5mm，其實直徑大小無所謂，重要的是選多少量。如果你拿不準放多少上去，建議先少放一些，如果不夠再加焊錫。如果你不小心一下子放多了，也不是沒有解決辦法，如果只是多一點兒，可以按照視頻教程中的那樣左右拖動來使多餘的錫均分到每個焊盤上來解決；如果多很多，就需要用別的方法了，建議使用吸錫帶將多餘的焊錫弄出來。

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用烙鐵將焊錫熔化開，緊接著就將烙鐵沿著引腳與焊盤的接觸點向右拖動，一直拖到最右邊的那個引腳：

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這樣 D12 一個邊上的引腳就都焊接好了，另一邊繼續相同的方法就可以焊接好了。
END
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二、稀引腳IC（MAX232）焊接
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以上介紹的是密引腳IC的焊接方法，但是不要把這種焊接方法用到所有的貼片IC上，上面那種焊接法感覺是引腳越密越好用，基本上引腳間距小於等於 0.5mm 的片子才這么焊，具體操作就看感覺了。下面就來看看引腳間距稍大一些的 IC 怎麼焊接，以 USB 板上的 MAX232 為例。
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首先，在晶元焊盤邊上的那個焊盤上化點兒焊錫：

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然後用鑷子把晶元對准焊盤，這時候焊盤上有錫的那個引腳就被頂起來一點兒了，找好感覺，把晶元對上去。

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再用烙鐵化開焊盤上的焊錫，壓住晶元的手指稍稍使點力，讓晶元能緊密的貼著 PCB，這個引腳也就焊接好了。向下壓的時候別太用力了，特別是別在焊錫完全化開之前太用力了，不然引腳用彎掉的。

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接下來，焊接晶元對角線另一端的那個引腳，固定住晶元：

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接下來要做的事情就是一個腳一個腳地焊接MAX232 剩下的引腳。這樣MAX232也就焊完了，這次不用洗板了，因為我們沒有用松香（其實焊錫絲裡面含了一定量的助焊劑的，說不準就是松香，呵呵） 。
END
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三、小封裝分立元件的焊接
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小封裝分立元件，也就是電阻電容什麼的了。這里演示的是焊接 0603封裝的電容。首先給要焊接元件的一個焊盤上化一點兒焊錫：

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然後用鑷子夾著電容，右手的烙鐵將剛才點上的焊錫化開。這時用鑷子將電容往焊盤上
「送」上一點兒，就焊上了：

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接下來的工作就是焊接另外一個引腳了：
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這樣，小封裝的元件也就被我們漂亮地焊接在板子上了。

4. led正裝和倒裝的區別

一、LED正裝

正裝結構，上面通常塗敷一層環氧樹脂，下面採用藍寶石為襯底，電極在上方，從上至下材料為：P-GaN、發光層、N-GaN、襯底。

正裝結構有源區發出的光經由P型GaN區和透明電極出射，採用的方法是在P型GaN上制備金屬透明電極，使電流穩定擴散，達到均勻發光的目的。

三、LED正裝與倒裝區別

(1).固晶：正裝小晶元採取在直插式支架反射杯內點上絕緣導熱膠來固定晶元，而倒裝晶元多採用導熱系數更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連，且本身支架基座通常為導熱系數較高的銅材；

(2).焊線：正裝小晶元通常封裝後驅動電流較小且發熱量也相對較小，因此採用正負電極各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金線與支架正負極相連即可；而倒裝功率晶元驅動電流一般在350mA以上，晶元尺寸較大，因此為了保證電流注入晶元過程中的均勻性及穩定性，通常在晶元正負級與支架正負極間各自焊接兩根φ1.0～φ1.25mil的金線；

(3).熒光粉選擇：正裝小晶元一般驅動電流在20mA左右，而倒裝功率晶元一般在350mA左右，因此二者在使用過程中各自的發熱量相差甚大，而現在市場通用的熒光粉主要為YAG，YAG自身耐高溫為127℃左右，而晶元點亮後，結溫(Tj)會遠遠高於此溫度，因此在散熱處理不好的情況下，熒光粉長時間老化衰減嚴重，因此在倒裝晶元封裝過程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉；

(4).膠體的選擇：正裝小晶元發熱量較小，因此傳統的環氧樹脂就可以滿足封裝的需要；而倒裝功率晶元發熱量較大，需要採用硅膠來進行封裝；硅膠的選擇過程中為了匹配藍寶石襯底的折射率，建議選擇折射率較高的硅膠(>1.51)，防止折射率較低導致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內部被全反射而損失掉；同時，硅膠彈性較大，與環氧樹脂相比熱應力比環氧樹脂小很多，在使用過程中可以對晶元及金線起到良好的保護作用，有利於提高整個產品的可靠性；

(5).點膠：正裝小晶元的封裝通常採用傳統的點滿整個反射杯覆蓋晶元的方式來封裝，而倒裝功率晶元封裝過程中，由於多採用平頭支架，因此為了保證整個熒光粉塗敷的均勻性提高出光率而建議採用保型封裝(Conformal-Coating)的工藝；

(6).灌膠成型：正裝晶元通常採用在模粒中先灌滿環氧樹脂然後將支架插入高溫固化的方式；而倒裝功率晶元則需要採用從透鏡其中一個進氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來填充，填充的過程中應提高操作避免烘烤後出現氣泡和裂紋、分層等現象影響成品率；

(7).散熱設計：正裝小晶元通常無額外的散熱設計；而倒裝功率晶元通常需要在支架下加散熱基板，特殊情況下在散熱基板後添加風扇等方式來散熱；在焊接支架到鋁基板的過程中 建議使用功率<30W的恆溫電烙鐵溫度低於230℃，停留時間<3S來焊接；